BSS138NH6327XTSA2 Infineon

Symbol Micros: TBSS138n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET 60V 230mA 3.5Ω 360W BSS138NH6433XTMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD