BSS138P NXP

Symbol Micros: TBSS138p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138P RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
62790 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1542 0,0733 0,0412 0,0314 0,0280
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Standard-Verpackung:
3000/111000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138P,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
107717 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1542 0,0733 0,0412 0,0314 0,0280
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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