IRF530N

Name: IRF530N TIRF530n
Brand: International Rectifier
SKU: TIRF530n
Price: 0.3014 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

29 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6940	0,4369	0,3435	0,3108	0,3014

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Standard-Verpackung:
50/400 Menge (Vielfache: 1)

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6940	0,4369	0,3435	0,3108	0,3014

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Standard-Verpackung:
50/500 Menge (Vielfache: 1)

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8832	0,6472	0,5211	0,4463	0,4206

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5865	0,3668	0,2874	0,2710	0,2547