IRF530N

Name: TIRF530n TIRF530n
Brand: Infineon
SKU: TIRF530n
Price: 0.3018 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

350 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6948	0,4375	0,3439	0,3111	0,3018

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

11350 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3018

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

290 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3070

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8843	0,6480	0,5217	0,4468	0,4211

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5872	0,3673	0,2877	0,2714	0,2550

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6199	0,3930	0,3088	0,2807	0,2690