IRF530N
Symbol Micros:
TIRF530n
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
29 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6940 | 0,4369 | 0,3435 | 0,3108 | 0,3014 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6940 | 0,4369 | 0,3435 | 0,3108 | 0,3014 |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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