IRF530PBF

Symbol Micros: TIRF530pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 14A; 88W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF530 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8832 0,6472 0,5211 0,4463 0,4206
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Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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