IRF530NPBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRF530n MOS
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 15A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | MOSLEADER |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 15A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | MOSLEADER |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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