IRF530N JSMICRO
Symbol Micros:
TIRF530n JSM
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
Max. Drainstrom: | 33A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | JSMICRO |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
Max. Drainstrom: | 33A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | JSMICRO |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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