IRF640 SLKOR

Symbol Micros: TIRF640n SLK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: SLKOR Hersteller-Teilenummer: IRF640 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
56 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7850 0,4977 0,3925 0,3575 0,3411
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT