IRF640 SLKOR
Symbol Micros:
TIRF640n SLK
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | SLKOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | SLKOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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