IRF640NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF640n JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF640N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8495 0,6233 0,4986 0,4294 0,4040
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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