IRF640NPBF-ML MOSLEADER

Name: TIRF640n MOS TIRF640n MOS
Brand: MOSLEADER
SKU: TIRF640nMOS
Price: 0.3481 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF640n MOS

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8014	0,5070	0,3995	0,3645	0,3481

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7733	0,4860	0,3808	0,3598	0,3364

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8598	0,6308	0,5047	0,4346	0,4089

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7476	0,4696	0,3668	0,3458	0,3248