IRFR5305 JSMICRO

Symbol Micros: TIRFR5305 JSM
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 113W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFR5305 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7158 0,4492 0,3720 0,3322 0,3111
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 113W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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