Hauptseite / Transistoren / Feldeffekttransistoren / IRFR5305T HXY MOSFET

IRFR5305T HXY MOSFET

Name: TIRFR5305 HXY TIRFR5305 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRFR5305HXY
Price: 0.2550 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR5305 HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 20A; 40W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR5305T RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

140 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5872	0,3720	0,2924	0,2667	0,2550

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7158	0,4492	0,3720	0,3322	0,3111

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5661	0,3556	0,2948	0,2620	0,2456

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6199	0,3883	0,3228	0,2877	0,2690

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6995	0,4421	0,3486	0,3182	0,3041

Anzahl Stück	2+	10+	75+	200+	600+
Nettopreis (EUR)	0,5661	0,3556	0,2714	0,2550	0,2456

IRFR5305T HXY MOSFET

Symbol bearbeiten

Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol

Symbol hinzufügen