IRFR5305TR UMW

Symbol Micros: TIRFR5305 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6174 0,3876 0,3206 0,2871 0,2680
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5791 0,3661 0,2895 0,2632 0,2513
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD