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IRFR5305TRPBF

Symbol Micros: TIRFR5305

Gehäuse: TO252 (DPACK)

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P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR5305TRPBF; IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305PBF-GURT; IRFR5305TRPPBF; IRFR5305 smd; IRFR5305TR;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

51445 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6269	0,3972	0,3135	0,2848	0,2728

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

30640 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6269	0,3972	0,3135	0,2848	0,2728

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

64000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2728

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

99000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2742

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2728

Parameter
Beschreibung

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Ausführliche Beschreibung

Hersteller: International Rectifier
Transistortyp: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: -55V
Drainstrom: -31A
Leistung: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 65mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Gehäuse: 1.4K/W
Montage: SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7322	0,4594	0,3805	0,3398	0,3183

Anzahl Stück	2+	10+	75+	200+	600+
Nettopreis (EUR)	0,5791	0,3637	0,2776	0,2608	0,2513

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6174	0,3876	0,3206	0,2871	0,2680

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6341	0,3972	0,3302	0,2943	0,2752

IRFR5305TRPBF

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