IRFR5305TRPBF

Symbol Micros: TIRFR5305
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR5305TRPBF; IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305PBF-GURT; IRFR5305TRPPBF; IRFR5305 smd; IRFR5305TR;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
58257 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8108 0,5140 0,4066 0,3692 0,3528
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8108 0,5140 0,4066 0,3692 0,3528
Standard-Verpackung:
75/1275
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8108 0,5140 0,4066 0,3692 0,3528
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: International Rectifier
Transistor type: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistor kind: HEXFET
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power: 89W
Case: TO252 (DPACK)
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 65mΩ
Junction-to-case thermal resistance: 1.4K/W
Mounting: SMD