IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

916 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2913	0,1611	0,1069	0,0893	0,0832

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS F... Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2913	0,1611	0,1069	0,0893	0,0832

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

3108000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0832

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

201000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0832

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

515300 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0832

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1938	0,0775	0,0451	0,0376	0,0352

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2232	0,1118	0,0665	0,0552	0,0496

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2248	0,0900	0,0524	0,0435	0,0409