IRLML6401TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLML6401 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1997 0,1009 0,0608 0,0481 0,0444
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD