IRLML6401TRPBF JGSEMI

Name: TIRLML6401 JGS TIRLML6401 JGS
Brand: JGSEMI
SKU: TIRLML6401JGS
Price: 0.0444 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLML6401 JGS

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,1999	0,1010	0,0608	0,0482	0,0444

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 125°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1938	0,0775	0,0451	0,0376	0,0352

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2232	0,1118	0,0665	0,0552	0,0496

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2248	0,0900	0,0524	0,0435	0,0409

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2913	0,1611	0,1069	0,0893	0,0832