IRLML6401 UMW

Symbol Micros: TIRLML6401 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1999 0,1012 0,0613 0,0486 0,0444
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD