BC817-40 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC81740 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN-Transistor; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G; BC817-40 RFG; BC817-40-7-F; BC817-40-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0615 0,0230 0,0123 0,0092 0,0085
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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