BC847B,215
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Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Hersteller: | NXP |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,0628 | 0,0243 | 0,0118 | 0,0094 | 0,0090 |
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0090 |
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0090 |
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0090 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Hersteller: | NXP |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
BC847B ist ein universeller NPN-Bipolartransistor, der sich durch eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vce) von 45V und einen maximalen Kollektorstrom (Ic) von 100mA auszeichnet. Sein Stromverstärkungsfaktor (hFE) liegt im Bereich von 200 bis 450, was bedeutet, dass er elektrische Signale erheblich verstärken kann, was in Verstärkern oder Schaltkreisen nützlich ist. Dank einer maximalen Grenzfrequenz von 100MHz ist der BC847B-Transistor für Schaltungen geeignet, die mit höheren Frequenzen arbeiten, wie z. B. Sender oder Radioempfänger.
Der BC847B-Transistor bietet außerdem geringe Leistungsverluste dank seiner niedrigen Sättigungsspannung (Vce(sat)), und das SOT23-Gehäuse ermöglicht eine Oberflächenmontage (SMD), was die Integration in Projekte mit hoher Bauteildichte erleichtert.
Dank seiner soliden Parameter wie hoher Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit wird der BC847B in Verstärkerschaltungen, Schaltern sowie in digitalen und analogen Anwendungen eingesetzt, bei denen kompakte und effiziente elektronische Bauteile erforderlich sind.
Hersteller: NXP Semiconductors
Transistortyp: NPN
Polarisation: bipolar
Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Kollektorstrom: 100mA
Leistung: 250mW
Gehäuse: SOT23
Transistorverstärkung: 290
Montage: SMD