BC847B,215

Symbol Micros: TBC847b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC847B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
360780 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0611 0,0234 0,0115 0,0091 0,0087
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-01-10
Anzahl Stück: 300000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: NXP Semiconductors
Transistor type: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 100mA
Power: 250mW
Case: SOT23
Current gain: 290
Mounting: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole