BC847B HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBC847b HXY
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Verlustleistung: | 200mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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