BC847BE6327

Symbol Micros: TBC847b inf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 250MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 250MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole