BSS138NH6327XTSA2 Infineon
Symbol Micros:
TBSS138n
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 230mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138NH6433XTMA1; BSS138NL6327HTSA1; SP000919330;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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