IRF530N

Name: TIRF530n TIRF530n
Brand: Infineon
SKU: TIRF530n
Price: 0.3018 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

350 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6949	0,4375	0,3439	0,3112	0,3018

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

11350 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3018

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

290 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3070

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8844	0,6481	0,5218	0,4469	0,4212

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5873	0,3673	0,2878	0,2714	0,2550

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6200	0,3931	0,3089	0,2808	0,2691