IRF530PBF
Symbol Micros:
TIRF530pbf
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 14A; 88W; -55 °C ~ 175 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF530 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
375 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8843 | 0,6480 | 0,5217 | 0,4468 | 0,4211 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4211 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4754 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4211 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7800 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4211 |
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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