IRF530PBF
Symbol Micros:
TIRF530pbf
Gehäuse: TO220
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF530 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
390 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8837 | 0,6476 | 0,5214 | 0,4465 | 0,4208 |
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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