IRF640NPBF JSMICRO

Name: TIRF640n JSM TIRF640n JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: TIRF640nJSM
Price: 0.4087 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF640n JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF640N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8594	0,6305	0,5044	0,4343	0,4087

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8804	0,5581	0,4414	0,4017	0,3830

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7729	0,4857	0,3806	0,3596	0,3363

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7846	0,4974	0,3923	0,3573	0,3409

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7473	0,4694	0,3666	0,3456	0,3246

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8010	0,5067	0,3993	0,3643	0,3479