IRFR5305TRPBF

Symbol Micros: TIRFR5305
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR5305TRPBF; IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305PBF-GURT; IRFR5305TRPPBF; IRFR5305 smd; IRFR5305TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
48935 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6138 0,3889 0,3069 0,2788 0,2671
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
29440 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6138 0,3889 0,3069 0,2788 0,2671
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
28000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2671
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
72000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2671
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2671
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: International Rectifier
Transistortyp: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: -55V
Drainstrom: -31A
Leistung: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 65mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Gehäuse: 1.4K/W
Montage: SMD

Symbol Micros

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