IRFR5305TR
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Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
Max. Drainstrom: | 31A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8113 | 0,5143 | 0,4068 | 0,3694 | 0,3530 |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,8113 | 0,5143 | 0,4068 | 0,3694 | 0,3530 |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,8113 | 0,5143 | 0,4068 | 0,3694 | 0,3530 |
Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
Max. Drainstrom: | 31A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
Manufacturer: International Rectifier
Transistor type: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistor kind: HEXFET
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power: 89W
Case: TO252 (DPACK)
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 65mΩ
Junction-to-case thermal resistance: 1.4K/W
Mounting: SMD