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IRFR5305TR UMW

Symbol Micros: TIRFR5305 UMW

Gehäuse: TO252 (DPACK)

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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6174	0,3876	0,3206	0,2871	0,2680

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5791	0,3661	0,2895	0,2632	0,2513

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6269	0,3972	0,3135	0,2848	0,2728

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7322	0,4594	0,3805	0,3398	0,3183

Anzahl Stück	2+	10+	75+	200+	600+
Nettopreis (EUR)	0,5791	0,3637	0,2776	0,2608	0,2513

IRFR5305TR UMW

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