IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1206 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4084 0,2253 0,1772 0,1641 0,1573
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS F... Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4084 0,2253 0,1772 0,1641 0,1573
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD