IRLML6401 UMW

Symbol Micros: TIRLML6401 UMW

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3600 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2041	0,1033	0,0626	0,0496	0,0453

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1978	0,0791	0,0460	0,0384	0,0360

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2278	0,1141	0,0679	0,0563	0,0506

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2295	0,0918	0,0535	0,0444	0,0417