MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD31CJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,6W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MJD31CJ RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5070 0,2804 0,2217 0,2089 0,2023
Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 1,6W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN