MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD31CJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Verlustleistung: 1,6W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MJD31CJ RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4997 0,2763 0,2185 0,2058 0,1994
Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 1,6W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN