SI2301CDS SOT23 VISHAY

Symbol Micros: TSI2301cds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET 20V 2.3A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-02
Anzahl Stück: 6000
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD