SI2301CDS-T1-GE3

Symbol Micros: TSI2301cds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	142mOhm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2996	0,1655	0,1100	0,0918	0,0854

Widerstand im offenen Kanal:	142mOhm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	650+
Nettopreis (EUR)	0,3137	0,2002	0,1398	0,1210	0,1145

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0838	0,0330	0,0193	0,0141	0,0129