SI2301CDS-T1-GE3

Name: TSI2301cds TSI2301cds
Brand: Vishay
SKU: TSI2301cds
Price: 0.1020 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2301cds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	142mOhm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

7600 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2914	0,1616	0,1075	0,0895	0,0835

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

450000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0835

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

57000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0835

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-E3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1020

Widerstand im offenen Kanal:	142mOhm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	650+
Nettopreis (EUR)	0,3124	0,1993	0,1392	0,1205	0,1140

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0835	0,0329	0,0192	0,0140	0,0128