Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2683)

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MMBT489LT1G ON Semiconductor NPN 30V 1A 710mW 100MHz NPN 30V 1A 710mW 100MHz
MMBT489LT1G || MMBT489LT1G ON Semiconductor SOT23
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ON-Semicoductor
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MMBT489LT1G
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SOT23
 
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ON-Semicoductor
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MMBT489LT1G
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SOT23
 
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MMBT489LT1G
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MMBT5087 Transistor Series 50 V CE Breakdown 0.1 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23 Transistor Series 50 V CE Breakdown 0.1 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23
MMBT5087LT1G || MMBT5087 SOT23
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ON-Semicoductor
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MMBT5087LT1G
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SOT23
 
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MMBT5087LT1G
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SOT23
 
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MMBT5089 Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 50mA 50MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-23) Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 50mA 50MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-23)
MMBT5089LT1G || MMBT5089 SOT23
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ON-Semicoductor
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MMBT5089LT1G
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ON-Semicoductor
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MMBT5089LT1G
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SOT23
 
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MMBT5179 Transistor RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 Transistor RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23
MMBT5179 || MMBT5179 SOT23-3
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ON-Semicoductor
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MMBT5179
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SOT23-3
 
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PUMH16 NXP 2NPN 50V 100mA 300mW
PUMH16,115 || PUMH16 NXP SC-88
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Nexperia
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PUMH16,115
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SC-88
 
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MMBT5401-7-F Transistor GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT5401-7-F || MMBT5401-13-F || MMBT5401-7-F SOT23-3
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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MMBT5401-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
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DIODES/ZETEX
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MMBT5401-13-F
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SOT23-3
 
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DIODES/ZETEX
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MMBT5401-7-F
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SOT23-3
 
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MMBT5551 smd NPN 600mA 160V 350mW 100MHz NPN 600mA 160V 350mW 100MHz
MMBT5551 || MMBT5551 smd SOT23
Hersteller:
DIOTEC
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MMBT5551
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SOT23
 
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NPN 250 350mW 160V 600mA 100MHz SOT23 -55°C ~ 150°C
                         
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MMBT6428 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 200mA 700MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-) Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 200mA 700MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-)
MMBT6428LT1G || MMBT6428 SOT23
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ON-Semicoductor
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MMBT6428LT1G
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SOT23
 
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ON-Semicoductor
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MMBT6428LT1G
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SOT23
 
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MMBT6429LT1G NPN 200mA 45V 225mW 700MHz NPN 200mA 45V 225mW 700MHz
MMBT6429LT1G || MMBT6429LT1G SOT23
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ON-Semicoductor
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MMBT6429LT1G
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NPN 700MHz
 
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ON-Semicoductor
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MMBT6429LT1G
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SOT23
 
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NPN 700MHz
 
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ON-Semicoductor
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MMBT6429LT1G
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SOT23
 
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NPN 700MHz
MMBT6520LT1G PNP 500mA 350V 225mW 200MHz PNP 500mA 350V 225mW 200MHz
MMBT6520LT1G || MMBT6520LT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
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MMBT6520LT1G
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SOT23
 
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PNP 200MHz
 
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ON-Semicoductor
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MMBT6520LT1G
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SOT23
 
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PNP 200MHz
MMBTA06WT1G Transistor GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70
MMBTA06WT1G || MMBTA06WT1G SC70-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
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MMBTA06WT1G
Präzisionsgehäuse:
SC70-3
 
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MMBTA13 Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 225mW 3-Pin SOT-23 Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 225mW 3-Pin SOT-23
MMBTA13-7-F || MMBTA13 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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MMBTA13-7-F
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SOT23
 
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MMBTA28 ||   
Hersteller:
ON-Semicoductor
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MMBTA28
Präzisionsgehäuse:
 
 
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MMBTA28-7-F Transistor Darlington NPN 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington NPN 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MMBTA28-7-F || MMBTA28-7-F  
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DIODES/ZETEX
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MMBTA28-7-F
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DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMBTA28-7-F
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312000 Stk.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMBTA28-7-F
Präzisionsgehäuse:
 
 
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27000 Stk.
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MMBTA63-7-F Transistor Darlington PNP 30V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington PNP 30V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MMBTA63LT1G || MMBTA63-7-F  
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBTA63LT1G
Präzisionsgehäuse:
 
 
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15000 Stk.
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MMBTA64 Transistor Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Transistor Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23
MMBTA64LT1G || MMBTA64-7-F || MMBTA64 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBTA64LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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PNP 20000 300mW 30V 500mA 125MHz SOT23 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBTA64LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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60000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0183
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3000
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PNP 20000 300mW 30V 500mA 125MHz SOT23 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMBTA64-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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15000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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PNP 20000 300mW 30V 500mA 125MHz SOT23 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
MMBTH10 NPN 25V 650MHz 225mW 50mA NPN 25V 650MHz 225mW 50mA
MMBTH10LT1G || MMBTH10 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBTH10LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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48000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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3000
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NPN 60 350mW 25V 50mA 650MHz SOT23 LGE -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBTH10LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
36000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0288
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3000
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NPN 60 350mW 25V 50mA 650MHz SOT23 LGE -55°C ~ 150°C
MMDT2227-7-F Transistor GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW Automotive SOT363-6 Transistor GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW Automotive SOT363-6
MMDT2227-7-F || MMDT2227-7-F SOT363
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMDT2227-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
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192000 Stk.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMDT2227-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
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171000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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3000
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MMDT3904-7-F Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW Automotive SOT363-6 Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW Automotive SOT363-6
MMDT3904-7-F || MMDT3904-7-F SOT363
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMDT3904-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
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9000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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3000
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMDT3904-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
132000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0169
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MMDT3904-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
195000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0171
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Standard-Verpackung:
3000
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MMUN2114LT1G Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MMUN2114LT3G || MMUN2114LT1G SOT23-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMUN2114LT3G
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
10000 Stk.
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10000
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PNP 140 400mW 50V 100mA SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
MMUN2130LT1G Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
MMUN2130LT1G || MMUN2130LT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMUN2130LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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MUN2214T1G NPN Digi Transistor, 100mA 50 V 10 kOhm, Ratio Of 0.21, 3-Pin SC-59 NPN Digi Transistor, 100mA 50 V 10 kOhm, Ratio Of 0.21, 3-Pin SC-59
MUN2214T1G || MUN2214T1G SC-59
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN2214T1G
Präzisionsgehäuse:
SC-59
 
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MUN2215T1G ||  SC59
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN2215T1G
Präzisionsgehäuse:
SC59
 
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MUN5233T1G Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R
MUN5233T1G || MUN5233T1G SC70-3 t/r
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN5233T1G
Präzisionsgehäuse:
SC70-3 t/r
 
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Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN5233T1G
Präzisionsgehäuse:
SC70-3 t/r
 
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Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN5233T1G
Präzisionsgehäuse:
SC70-3 t/r
 
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MUN5111T1G ||  SC70-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN5111T1G
Präzisionsgehäuse:
SC70-3
 
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ON-Semicoductor
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MUN5111T1G
Präzisionsgehäuse:
SC70-3
 
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MUN5111DW1T1G ONSemiconductor 2PNP 50V 100mA 250mW 2PNP 50V 100mA 250mW
MUN5111DW1T1G || MUN5111DW1T1G ONSemiconductor SOT363
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ON-Semicoductor
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MUN5111DW1T1G
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SOT363
 
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2xPNP 60 385mW 50V 100mA SOT363 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
MUN5113DW1T1G ONSemiconductor 2PNP 100mA 50V 250mW 2PNP 100mA 50V 250mW
MUN5113DW1T1G || MUN5113DW1T1G ONSemiconductor SOT363
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ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN5113DW1T1G
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
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ON-Semicoductor
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MUN5113DW1T1G
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SOT363
 
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MUN5114T1G ||  SC70-3 t/r
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ON-Semicoductor
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MUN5114T1G
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SC70-3 t/r
 
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MUN5114T1G
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SC70-3 t/r
 
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33000 Stk.
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Hersteller-Teilenummer:
MUN5114T1G
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SC70-3 t/r
 
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39000 Stk.
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MUN5115DW1T1G ||  SC-88
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MUN5115DW1T1G
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SC-88
 
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MUN5115DW1T1G
Präzisionsgehäuse:
SC-88
 
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MUN5116DW1T1G ONS 2PNP 50V 100mA 250mW 2PNP 50V 100mA 250mW
MUN5116DW1T1G || MUN5116DW1T1G ONS SOT363 t/r
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ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN5116DW1T1G
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
 
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1    66  67  68  69  70  71  72  73  74    90

Bipolare Transistoren

Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.

Bipolarer Transistor – Symbol

Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.

Funktionsweise Bipolarer Transistoren

Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.

Katalog Bipolarer Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Stromverstärkungsfaktor,
  • Verlustleistung,
  • maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
  • maximaler Kollektorstrom,
  • Gehäusetyp,
  • Betriebstemperaturbereich.

Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.

Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!