Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2683)

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MJD210G Transistor GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
MJD210T4G || MJD210G || MJD210G TO252
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ON-Semicoductor
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MJD210T4G
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TO252
 
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ON-Semicoductor
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MJD210G
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TO252
 
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ON-Semicoductor
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MJD243 Transistor GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
MJD243T4G || MJD243 DPAK
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ON-Semicoductor
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MJD243T4G
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DPAK
 
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MJD243T4G
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DPAK
 
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MJD253T4G Transistor GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
MJD253T4G || MJD253T4G TO252
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ON-Semicoductor
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MJD253T4G
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TO252
 
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MJD2955G Transistor GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
MJD2955G || MJD2955T4G || MJD2955G TO252
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ON-Semicoductor
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MJD2955G
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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ON-Semicoductor
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MJD2955T4G
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TO252
 
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MJD3055 smd NPN 10A 60V 20W 2MHz NPN 10A 60V 20W 2MHz
MJD3055T4 || MJD3055T4G || MJD3055 smd TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
MJD3055T4
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TO252 (DPACK)
 
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NPN 2MHz
 
Hersteller:
ST
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MJD3055T4
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TO252 (DPACK)
 
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NPN 2MHz
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJD3055T4G
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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NPN 2MHz
MJD31C-13 DIODES Darl. NPN 3A 100V 1.56W Darl. NPN 3A 100V 1.56W
MJD31C-13 || MJD31CUQ-13 || MJD31C-13 DIODES TO252 (DPACK)
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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MJD31C-13
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TO252 (DPACK)
 
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
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MJD31CUQ-13
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TO252 (DPACK)
 
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MJD31C-13
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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MJD31CT4 STM Darl. NPN 3A 100V 15W Darl. NPN 3A 100V 15W
MJD31CT4 || MJD31CT4 STM TO252
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
MJD31CT4
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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NPN 50 15W 100V 3A TO252 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
 
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ST
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MJD31CT4
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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125000 Stk.
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NPN 50 15W 100V 3A TO252 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
MJD31CT4
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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22500 Stk.
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NPN 50 15W 100V 3A TO252 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
MJD32C Darl. PNP 3A 100V 15W Darl. PNP 3A 100V 15W
MJD32C-13 || MJD32CT4 || MJD32C TO252
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
MJD32C-13
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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20000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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PNP 50 1,56W 100V 3A 3MHz TO252 ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
MJD32CT4
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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30000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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PNP 50 1,56W 100V 3A 3MHz TO252 ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
MJD32CT4
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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212510 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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PNP 50 1,56W 100V 3A 3MHz TO252 ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
MJD41CRLG Transistor GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
MJD41CRLG || MJD41CRLG TO252 (DPACK)
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJD41CRLG
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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1800 Stk.
Anzahl der Stücke 1800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1800
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MJD41CJ Nexperia USA Inc. MJD41C/SOT428/DPAK MJD41C/SOT428/DPAK
MJD41CJ || MJD41CJ Nexperia USA Inc.  
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
MJD41CJ
Präzisionsgehäuse:
 
 
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5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1414
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2500
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MJD42CG Transistor GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
MJD42CT4G || MJD42CG DPAK
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJD42CT4G
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2409
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2500
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MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK
MJD44H11J || MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA DPAK
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
MJD44H11J
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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45000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1546
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2500
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NPN 60 1,75W 80V 8A 160MHz DPAK Nexperia -55°C ~ 150°C
MJD50 NPN 1A 400V 15W NPN 1A 400V 15W
MJD50G || MJD50T4G || MJD50 TO252 (DPACK)
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJD50G
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3474
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75
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NPN 150 1,56W 400V 1A 10MHz TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJD50G
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
750 Stk.
Anzahl der Stücke 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3231
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
NPN 150 1,56W 400V 1A 10MHz TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJD50T4G
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
25000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2365
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
NPN 150 1,56W 400V 1A 10MHz TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
MJD5731T4G ONSEMI Transistor GP BJT PNP 350V 1A Transistor GP BJT PNP 350V 1A
MJD5731T4G || MJD5731T4G ONSEMI TO252 (DPACK)
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJD5731T4G
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2539
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
MJE15032 NPN 8A 250V 50W 30MHz NPN 8A 250V 50W 30MHz
MJE15032G || MJE15032 TO220
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE15032G
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
3467 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6068
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
NPN 70 2W 250V 8A 30MHz TO220 ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE15032G
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
1220 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6866
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
NPN 70 2W 250V 8A 30MHz TO220 ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
MJE15035G Transistor : PNP; Bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Transistor : PNP; Bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
MJE15035G || MJE15035G TO220AB
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE15035G
Präzisionsgehäuse:
TO220AB
 
Externes Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6035
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
PNP 100 50W 350V 4A 30MHz TO220AB ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
MJE172 PNP 3A 80V 12.5W PNP 3A 80V 12.5W
MJE172G || MJE172 SOT323
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE172G
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2990
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
PNP
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE172G
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3000
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
PNP
MJE200G NPN 5A 25V 15W NPN 5A 25V 15W
MJE200G || MJE200G TO126
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE200G
Präzisionsgehäuse:
TO126
 
Externes Lager:
1380 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3519
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
NPN
PDTC123EU NEXPERIA Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 PDTC123EU,115
PDTC123EU,115 || PDTC123EU NEXPERIA SC70-3
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
PDTC123EU,115
Präzisionsgehäuse:
SC70-3
 
Externes Lager:
18000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0137
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
PDTC123EU,115
Präzisionsgehäuse:
SC70-3
 
Externes Lager:
33000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0127
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
MJE371G PNP 4A 40V 40W PNP 4A 40V 40W
MJE371G || MJE371G TO126
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE371G
Präzisionsgehäuse:
TO126
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4137
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
PNP
MJE5852G PNP 8A 400V 80W PNP 8A 400V 80W
MJE5852G || MJE5852G TO220
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE5852G
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6212
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
PNP 15 80W 400V 8A TO220 ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJE5852G
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
9987 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,7885
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PNP 15 80W 400V 8A TO220 ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
MJH11019G PNP 20A 200V 150W PNP 20A 200V 150W
MJH11019G || MJH11019G TO 3P
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJH11019G
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TO 3P
 
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PNP
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
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MJH11019G
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TO 3P
 
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PNP
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJH11019G
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
 
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PNP
MJH11020G Transistor Darlington NPN 200V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Transistor Darlington NPN 200V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
MJH11020G || MJH11020G TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJH11020G
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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280 Stk.
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MJH6287G Transistor Darlington PNP 100V 20A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Transistor Darlington PNP 100V 20A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
MJH6287G || MJH6287G TO247
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJH6287G
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJH6287G
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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30
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Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJH6287G
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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MJL3281AG NPN 15A 260V 200W 30MHz NPN 15A 260V 200W 30MHz
MJL3281AG || MJL3281AG TO264
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJL3281AG
Präzisionsgehäuse:
TO264
 
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25
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NPN 30MHz
MJL4281AG NPN 15A 260V 200W 30MHz NPN 15A 260V 200W 30MHz
MJL4281AG || MJL4281AG TO264
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MJL4281AG
Präzisionsgehäuse:
TO264
 
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175 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,5492
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25
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NPN 30MHz
MMBT100 Transistor GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Transistor GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
MMBT100 || MMBT100 SC70-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBT100
Präzisionsgehäuse:
SC70-3
 
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6000 Stk.
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PIMD3 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin TSOP PIMD3,115
PIMD3,115 || PIMD3 TSOP06
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
PIMD3,115
Präzisionsgehäuse:
TSOP06
 
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21000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0533
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3000
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Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
PIMD3,115
Präzisionsgehäuse:
TSOP06
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0496
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3000
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MMBT4401LT1G || MMBT4401LT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBT4401LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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285000 Stk.
Anzahl der Stücke 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0092
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NPN 300 300mW 40V 600mA 250MHz SOT23 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBT4401LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
261000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0099
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
NPN 300 300mW 40V 600mA 250MHz SOT23 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
MMBT4403M3T5G Transistor GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 Transistor GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723
MMBT4403M3T5G || MMBT4403M3T5G SOT723
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBT4403M3T5G
Präzisionsgehäuse:
SOT723
 
Externes Lager:
16000 Stk.
Anzahl der Stücke 8000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0352
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8000
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1    65  66  67  68  69  70  71  72  73    90

Bipolare Transistoren

Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.

Bipolarer Transistor – Symbol

Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.

Funktionsweise Bipolarer Transistoren

Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.

Katalog Bipolarer Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Stromverstärkungsfaktor,
  • Verlustleistung,
  • maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
  • maximaler Kollektorstrom,
  • Gehäusetyp,
  • Betriebstemperaturbereich.

Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.

Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!