IR emiter and receivers (results: 477)
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Case
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Forvard volatge [UF]
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Forvard volatge range
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SFH320FA-3 OSRAM
Phototransistor SFH320FA-3; colector - emiter voltage 35V; 165mW; working temperature -40°C +100°C;
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SFH4253
Emitter IR SFH 4253; wavelenght: 850nm 4mW; 70mA; 1.5V; work temperature -40°C +100°C;
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Rys.SFH4253
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SFH4258
Emitter IR SFH 4258; wavelenght: 850nm 50mW; 100mA; 1.5V; work temperature -40°C +100°C;
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Rys.SFH4258
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VEMT2020X01
Phototransistor Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD
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SMD-2
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SFH5711-2/3 OSRAM
Emitter IR SFH 5711-2/3-Z; wavalenght: 555 nm; 6V; work temperature -40°C +100°C;
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OIN LTE4206
IR emiting diode round 3mm; transparent; wavelenght: 940nm 90mW; IF=60mA; VF=1.2V; temperatures: work -40°C +85°C, storage -55°C +100°C
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Rys.LTE4206
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90mW | 20° | Lite-On | 940nm | 60mA | 3mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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OIN LTE3271
IR emiting diode round 5mm; black diffused; wavelenght: 940nm 120mW; IF=100mA; VF=1.4V; temperatures: work -40°C +85°C, storage -55°C +100°C
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Rys.LTE3271
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120mW | 50° | LITEON | 940nm | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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OIN LTE4208
IR emiting diode round 5mm; transparent; wavelenght: 940nm 100mW; IF=50mA; VF=1.2V; temperatures: work -40°C +85°C, storage -55°C +100°C
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Rys.LTE4208
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100mW | 20° | Lite-On | 940nm | 50mA | -40°C ~ 85°C | THT | |||||||||||||||||||||
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OIN LTE4238
IR emiting diode round 5mm; black diffused; wavelenght: 880nm 150mW; IF=100mA; VF=1.3V; temperatures: work -40°C +85°C, storage -55°C +100°C
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Rys.LTE4238
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150mW | 20° | LITEON | 800nm | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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OIN Tsus5402
IR emiting diode round 5mm; transparent blue-grey; wavelenght: 950nm 210mW; IF=150mA; VF=2.2V; work temperature -55°C +100°C;
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Rys.TSUS
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OIN Tsha5500
IR emiting diode round 5mm; waterclear; wavelenght: 875nm 210mW; IF=100mA; VF=1.5V; work temperature -55°C +100°C;
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LED í 5
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HIR7373C
IR emiting diode; wavelenght: 850nm radiant intensity: 7.8mW/sr; IF=100mA; VF=1.45V
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LED í 5
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OIN LTE306
IR emiting diode side view 3x3x4mm; transparent; wavelenght: 940nm 75mW; IF=50mA; VF=1.2V; temperatures: work -40°C +85°C, storage -55°C +100°C
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Rys.LTE306
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75mW | 30° | LITEON | 940nm | 50mA | 3x3x4mm | -40°C ~ 85°C | THT (Angled) | ||||||||||||||||||||
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KP2012F3C
0805 SMD IR emiting diode; wavelenght: 940nm radiant intensity: 3.0mW/sr; IF=20mA; VF=1.2V
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Rys.KP2012F3C
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80mW | 120° | KingBright | 940nm | 50mA | 2x1,25x1mm | -40°C ~ 85°C | SMD | ||||||||||||||||||||
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QSE113
No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker QSE113E3R0
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VSMB3940X01
PLCC2 SMD IR emiting diode; wavelenght: 940nm radiant intensity: 13mW/sr; IF=100mA; VF=1.35V
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Rys.HIRCL-190G-4
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OIN Tsha5202
IR emiting diode round 5mm; transparent; dense stream; 210mW; 200mA; 5V; working temperature -55°C +100°C;
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LED í 5
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SFH3716
Phototransistors Light Sensor ChipLED; 5,5V; 20mA; 3nA; 570nm; 120°; -40°C - 100°C; Obudowa SMD/SMT 0805 (2012 metric); SFH 3716;
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Rys.SFH3716
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APA3010P3C Kingbright
Phototransistor APA3010P3C; 3x2x1mm; collector-emitter voltage: 30V Viewing angle: 120°; power: 100mW; working temperature: -40°C~85°C
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Rys.OIO APA3010P3C
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SMD | KingBright | -40°C ~ 85°C | 0,1W | Transparent | |||||||||||||||||||||||
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TLX9188 TOSHIBA
Phototransistor APA3010P3C; 4,55x3,7x2,1mm; collector-emitter voltage: 200V Power: 150mW; working temperature: -40°C~125°C
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Rys.OIO TLX9188
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SMD | Toshiba | -40°C ~ 125°C | 150mW | Black | |||||||||||||||||||||||
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LY A67F-U2AB-36
IR emiting diode; yellow; wavelenght: 590nm IF=30mA; VF=2.05V; temperatures: work -40°C +100°C
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SFH4050 OSRAM
Emiting diodle SFH 4050; wavelenght 860nm 180mW; 100mA; 5V; work temperature -40°C +100°C; SFH4050-Z; SFH 4050-Z;
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Rys.SFH4050
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LL-304IRC4B-2AD
IR emiting diode THT 3mm; waterclear; wavelenght: 940nm 100mW; IF= 60mA; VF= 1.2V; temperatures: work -40°C +85°C, storage -40°C +100°C
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Rys.OIN 304
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LUCKYLIGHT | 940nm | 20mA | 3mm | -40°C ~ 85°C | |||||||||||||||||||||||
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OSIXCAS1C1A
IR emiting diodeSMD PLCC2; waterclear; Wavelength: 880nm 200mW; 100mA; 1,6V; work temperature -40°C +100°C;
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Rys.OIN OSIXCAS1C1A
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OPTOSUPPLY | 880nm | 100mA | SMD PLCC2 | -30°C ~ 85°C | |||||||||||||||||||||||
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OSIXCA56A1A
IR emiting diode round 4.8mm; waterclear; Wavelength: 880nm 200mW; 100mA; 1,6V; work temperature -40°C +100°C;
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Rys.OIN OSIXCA56A1A
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OPTOSUPPLY | 880nm | 100mA | 4,8mm | -30°C ~ 85°C | |||||||||||||||||||||||
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IRM-3636T
IR control Receiver Module, 36KHz 14m 3-Pin
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Rys. IRM-3636T
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35° | EVERLIGHT | 940nm | 0,7mA | -20°C ~ 80°C | THT | ||||||||||||||||||||||
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FYL-5024IRCC1A-10
IR emitting diode THT 5mm; waterclear; wavelenght: 850nm 40mW; IF= 50mA; VF= 1.5V; temp. Work -40°C +85°C
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Rys.OIN FYL-5024IRCC1A-10
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40mW | 10° | FORYARD | 45nm | 50mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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KP-1608F3C Kingbright
IR emiting diode SMD; wavelenght: 940nm; viewing angle: 120° Power: 100mW; IF=50mA; VF= 1,2-1,6V; working temperature: -40°C-85°C
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Rys.OIN.KP-1608F3C
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100mW | 120° | KingBright | 940nm | 50mA | -40°C ~ 85°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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KP-1608SF4C Kingbright
IR emiting diode SMD; wavelenght: 880nm; viewing angle: 150° Power: 80mW; IF=50mA; VF= 1,3-1,6V; working temperature: -40°C-85°C
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Rys.OIN.KP-1608SF4C
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80mW | 150° | KingBright | 880nm | 50mA | -40°C ~ 85°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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