Transoptory pojedyncze (wyszukane: 1171)
| Produkt | Koszyk |
CTR
|
Obudowa
|
Typ wyjścia
|
Napięcie izolacji
|
Napięcie wyjściowe
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
XBL354B-TAG XBLW (=LTV-354T-A)
50mA 100mV@20mA,1mA 70V 6V 1.2V AC,DC SOP-4-2.54mm Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators ROHS
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
XBLW Symbol Producenta: XBL354B-TAG RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||
|
HT-6N136-S1TA1 SMD-8P HENGTUO EL.
pojedynczy CTR 19-50% Vce 30V Uiso 2,5kV Transistor with Vcc odpowiednik: LTV6N136 smd, PS8601 smd, 6N136S, 6N136S. 6N136S(TA) 6N136S(TA)-V
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
HENGTUO EL. Symbol Producenta: HT-6N136-S1TA1 RoHS Obudowa dokładna: PDIP08smd |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||
|
OR-6N136S-TA1 SOP-8 ORIENT
pojedynczy CTR 19-50% Vce 30V Uiso 2,5kV Transistor with Vcc odpowiednik: LTV6N136 smd, PS8601 smd, 6N136S, 6N136S. 6N136S(TA) 6N136S(TA)-V
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
Orient Display Symbol Producenta: OR-6N136S-TA1 RoHS Obudowa dokładna: PDIP08smd |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||
|
HT-6N136 DIP-8 HENGTUO ELECTRONICS
pojedynczy CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Zamiennik dla: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
HENGTUO EL. Symbol Producenta: HT-6N136 RoHS Obudowa dokładna: PDIP08 |
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 45 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||
|
HCPL-2531-000E
Optocoupler DC-IN 2-CH Transistor With Base DC-OUT 8-Pin PDIP Tube (Alt: HCPL-2531-000E)
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
50% | PDIP08 | Transistor with Base | 3750V | 20V | ||||||||||||
|
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: HCPL-2531-000E Obudowa dokładna: PDIP08 |
Magazyn zewnętrzny:
85700 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50% | PDIP08 | Transistor with Base | 3750V | 20V | ||||||||||||
|
IS181-AXW SOP4 ISOMICRON
80V 50mA 3.75kV 200mV@20mA,1mA 6V 1.24V DC SOP-4 Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators ROHS Podobny do: TLP181(GB-TPL,F); CYTLP181(GB-TP); TLP181(GB-TPL,F; KPC357NT0C; TIL198; TLP185(GB); LTV-356T-B; TLP181GB-S;
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
368 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
100%~600% | SOP04 | Transistor | 3750V | 80V | ||||||||||||
|
KPC410 0E SOP-5(T/R) COSMO ELECTRONICS
DC SOP-5 Logic Output Optoisolator ODPOWIEDNIK : PC410;
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP05 | High-Speed Optocoulpers | 3750V | 7V | |||||||||||||
|
4N25 UMW
pojedynczy CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Zamiennik dla: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/500 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5000V | 80V | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5000V | 80V | ||||||||||||
|
4N25
pojedynczy, CTR 20%, Vce 30V, Uiso 5,3kV, Transistor with Base odpowiednik: LTV4N25; 4N25X; 4N25-EVE;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N25 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
636 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/1625 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N25 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
17450 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N25 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
31891 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N25 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
1450 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
4N25 LITE-ON
pojedynczy, CTR 20%, Vce 30V, Uiso 5,3kV, Transistor with Base odpowiednik: LTV4N25 4N25X 4N25-LIT; 4N25-LITEON;
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
349 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/1040 Ilość (wielokrotność 1) |
20,00% | PDIP06 | NPN Phototransistor | 2500V | 70V | ||||||||||||
|
4N25SM
pojedynczy CTR 20% Vce 30V Uiso 7,5kV Transistor with Base 4N25SM; 4N25SR2M; 4N25SM FAIRCHILD;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N25SR2M RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 7500V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N25SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 7500V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N25SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 7500V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N25SR2M Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
73000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 7500V | 30V | ||||||||||||
|
4N25-000E Avago
pojedynczy, CTR 20%, Vce 30V, Uiso 2,5kV, Transistor with Base
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
370 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/520 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 2500V | 30V | ||||||||||||
|
4N25-300E AVAGO
pojedynczy, CTR 20%, Vce 30V, Uiso 2,5kV, Transistor with Base 4N25-300E (TUBE), 4N25-500E (T&R)
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: 4N25-300E RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Stan magazynowy:
14 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 2500V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: 4N25-500E Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 2500V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: 4N25-300E Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
12340 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 2500V | 30V | ||||||||||||
|
LTV4N25
pojedynczy CTR 20% Vce 30V Uiso 2,5kV Transistor with Base odpowiednik: 4N25; 4N25-LIT;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTV-4N25 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
237 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/1040 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 2500V | 30V | ||||||||||||
|
4N25SM
pojedynczy CTR 20% Vce 30V Uiso 7,5kV Transistor with Base 4N25S-TA1; 4N25S-LIT;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: 4N25S-TA1 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Stan magazynowy:
650 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | DIP06smd | Transistor with Base | 7500V | 30V | ||||||||||||
|
MT4N26 MATELIGHT
pojedynczy CTR 20% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Zamiennik dla: 4N26M, 4N26-LIT, 4N26-EVE, 4N26-ISO, 4N26-VIS, 4N26(SHORT,F)
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
325 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/325 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5000V | 30V | ||||||||||||
|
4N26
pojedynczy, CTR 20%, Vce 70V, Uiso 5.3kV, Transistor with Base odpowiednik: LTV4N26; 4N26X; 4N26-LIT; 4N26-VIS; 4N26-EVE;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N26 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N26 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
3250 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N26M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N26M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
4N27
pojedynczy, CTR 10-30%, Vce 70V, Uiso 5,3kV, Transistor with Base odpowiednik: LTV4N27 4N27-LIT 4N27M; 4N27-VIS;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N27 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
10-30% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N27 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10-30% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
4N32
pojedynczy CTR 500% Vce 70V Uiso 5,3kV Darlington with Base odpowiednik: LTV4N32; 4N32-VIS;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N32 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N32 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
18200 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
4N32SM
Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD White
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N32SM RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Stan magazynowy:
96 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
500,00% | PDIP06smd | Photodarlington | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N32SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500,00% | PDIP06smd | Photodarlington | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
4N33 VISHAY
pojedynczy CTR 500% Vce 30V Uiso 5,3kV Darlington with Base odpowiednik: LTV4N33 4N33M 4N33-F; 4N33-VIS;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N33 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
198 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
Isocom Symbol Producenta: 4N33 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
11895 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N33 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
20970 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N33 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
15640 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 5300V | 30V | ||||||||||||
|
4N33M
Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
174 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
500% | PDIP06smd | Darington with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N33M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06smd | Darington with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N33M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06smd | Darington with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N33M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06smd | Darington with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
4N35 UMW
pojedynczy CTR 100% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Zamiennik dla: 4N35M, 4N35-LIT, 4N35-EVE, 4N35-ISO, 4N35-VIS, 4N35(SHORT,F), 4N35-000E
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 5000V | 80V | ||||||||||||
|
4N35
pojedynczy CTR 100% Vce 70V Uiso 5,3kV Transistor with Base odpowiednik: LTV4N35 EL4N35 4N35M; 4N35-EVE;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: EL4N35 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
260 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/260 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N35 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
177 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/1625 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
2275 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2275 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: 4N35 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
126114 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: 4N35 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
1590 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
4N35XSM ISOCOM
pojedynczy CTR 100% Vce 70V Uiso 5,3kV Transistor with Base
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 60 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 5300V | 70V | ||||||||||||
|
4N35-000E
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 3,55kV Transistor with Base
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/400 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 3,55kV | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: 4N35-000E Obudowa dokładna: DIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
12615 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 3,55kV | 30V | ||||||||||||
|
LTV4N35
pojedynczy CTR 100% Vce 70V Uiso 3,55kV Transistor with Base odpowiednik: 4N35; 4N35-LIT;
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
550 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/650 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 3,55kV | 70V | ||||||||||||
|
4N35M ONS(FAI)
Transoptor; THT; Kanały: 1; Wyj: tranzystorowe; Uizol: 7,5kV; DIP6 4N35M-ONS;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35M RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
100,00% | PDIP06 | NPN Phototransistor | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
15500 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100,00% | PDIP06 | NPN Phototransistor | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
132650 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100,00% | PDIP06 | NPN Phototransistor | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100,00% | PDIP06 | NPN Phototransistor | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
4N35S-TA1 LITEON
Optocoupler DC-IN 1-Channel Transistor With Base DC-OUT; 3,55kV; Vout 30V; 3us; 100mA; CRT 100%; -55°C~100°C; 4N35S-LIT; 4N35S-TA1; 4N35S-TA1-DL;
|
||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
360 szt. |
||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 3,55kV | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: 4N35S-TA1 Obudowa dokładna: PDIP06smd GullWing |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 3,55kV | 30V | ||||||||||||
|
4N35SM
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 4,17kV Transistor with Base 4N35-SMD-I; 4N35SM; 4N35SR2M;
|
||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SM RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SR2M Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnętrzny:
11600 szt. |
|||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 4170V | 30V | ||||||||||||
Transoptory pojedyncze
Transoptory to podzespoły pozwalające na przesyłanie sygnałów pomiędzy odizolowanymi galwanicznie obwodami. Taka funkcja tych komponentów sprawia, że ich zastosowanie jest kluczowe dla bezpiecznego działania wielu urządzeń. W naszym asortymencie dostępne są transoptory pojedyncze o różnych parametrach pracy, co pozwoli na dobranie elementu dopasowanego do wielu zastosowań.
Czym są transoptory pojedyncze?
Transoptory pojedyncze to jeden z typów transoptorów, czyli elementów elektronicznych stosowanych w celu przekazywania sygnałów między obwodami przy zachowaniu ich separacji galwanicznej. Osiągane jest to dzięki temu, że wewnątrz obudowy tych podzespołów znajduje się nadajnik (zazwyczaj jest to dioda LED) i odizolowany od niego odbiornik (fotorezystor, fotodioda lub fototranzystor). Gdy przez diodę przepływa prąd, zaczyna emitować ona światło. Sygnał ten wykrywany jest następnie przez fotodetektor, co pozwala na przepływ prądu w obwodzie.
Transoptory wykorzystywane są w wielu różnych sprzętach, takich jak między innymi zasilacze impulsowe, urządzenia pomiarowe i komunikacyjne czy systemy sterowania. Aby umożliwić sprawne działanie układu, niezbędne jest dobranie odpowiedniego typu tych komponentów. Transoptory pojedyncze doskonale sprawdzą się w przypadku wielu podstawowych zastosowań. W niektórych sytuacjach konieczne może być jednak użycie podzespołów o bardziej złożonej budowie, takich jak transoptory podwójne lub transoptory poczwórne.
Co to jest CTR transoptora?
Niezwykle ważnym parametrem wszystkich transoptorów pojedynczych oraz innych typów tych komponentów jest CTR. Czym jest ta właściwość i jak odpowiednio dobrać ją do potrzeb układu? CTR (Current Transfer Ratio) określa wzmocnienie transoptora, czyli stosunek prądu wyjściowego do wejściowego. Prawidłowe dopasowanie tego parametru jest więc niezbędne, aby podzespoły te prawidłowo spełniały swoją funkcję w układzie.
Jak używać transoptora?
Jeśli chcesz wykorzystać transoptory pojedyncze w konstruowanym przez siebie układzie, w pierwszej kolejności musisz wyznaczyć cel zastosowania tych elementów. Może być to na przykład ochrona przed przepięciami, eliminacja zakłóceń czy sterowanie obwodami. Kolejnym krokiem będzie wybór transoptora o parametrach odpowiednio dopasowanych do danej potrzeby. Poza wspomnianym wcześniej CTR uwagę zwrócić powinieneś także na właściwości takie jak między innymi napięcie wyjściowe i napięcie izolacji. Następnie będziesz mógł już zamówić odpowiednie komponenty i zamontować je w swoim układzie.