Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3207)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC860B SOT23 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC860B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 475 | 250mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | LGE | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
TIP42C TO220 MOT
Tranzystor PNP; 75; 65W, 100V; 6A; 3MHz, -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 75 | 65W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | MOT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT-23-6L | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847C SOT23(T/R) RealChip
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-09-30
Ilość szt.: 30000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC856B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 475 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 250mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MIC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
32970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 250mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MIC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857BS SOT363 RealChip
Tranzystor PNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 630 | 300mW | 45V | 200mA | 200MHz | SOT363 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847B SOT23 YFW
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847B,215; BC847B,235; BC847BLT1G; BC847BLT3G; BC847BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC847B RFG; BC847B-7-F; BC847B-13-F; BC847B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857C SOT23 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MPSA44 TO92 HT SEMI
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 200 | 350mW | 400V | 200mA | 50MHz | TO92 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) HT SEMI
Tranzystor NPN; 800; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 625mW | 30V | 100mA | 150MHz | TO92 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 600 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: BC856A-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 600 | 300mW | 45V | 100mA | SOT23 | HT | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BC858C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 HT SEMI
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX53-16-DIO; BCX5316E6327; BCX5316E6327HTSA1; BCX5316H6327XTSA1; BCX5316H6433XTMA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 500mW | 80V | 1A | 50MHz | SOT89 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MPSA44 TO92 RealChip
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 200 | 625mW | 400V | 300mA | TO92 | RealChip | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
MJD127 DPAK YFW
Tranzystor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2320 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC860B SOT23 YFW
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860B,215; BC860B,235; BC860BE6327; BC860BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 250mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 RealChip
Transistor NPN; Bipolar; 250; 5V; 1,3W; 45V; 1A; 130MHz; -65°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,3W | 45V | 1A | 130MHz | SOT89 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BD139-16 TO126 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD139 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
870 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,25W | 80V | 1,5A | TO126 | HT SEMI | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
DTC143ECA SOT23 LGE
Tranzystor PNP; 20; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DTC143ECA-YAN; DTC143ECA-LGE; DTC143ECAHZGT116;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 20 | 200mW | 50V | 100mA | 250MHz | SOT23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857CW-TP
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT323 | MCC | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-10-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) MOT
Tranzystor PNP; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846B.215; BC846B.235; BC846B SMD NXP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 450 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX56 SOT89 YFW
Tranzystor NPN; 250; 500mW; 80V; 1A; 130MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 500mW | 80V | 1A | 130MHz | SOT89 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC846C SOT23(T/R) MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do: EVBC846C-S1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MPSA42 TO-92 REALCHIP
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 305V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 625mW | 305V | 200mA | 50MHz | TO92 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16-7-F (DIODEZETEX); BC817-16LT1G (ONS); BC817-16 RF (TAIWANSEMI);
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | Yangjie | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2030-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego
Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego przedstawiają zależności prądu kolektora do napięcia kolektor-emiter przy stałej wartości prądu bazy. Dla różnych wartości prądu bazy otrzymuje się rodzinę charakterystyk, która pozwala zobrazować zachowanie tranzystora bipolarnego w różnych warunkach pracy. Na wykresie wyróżnia się m.in. obszar odcięcia, obszar nasycenia i obszar aktywny. Analiza charakterystyk wyjściowych pozwala ocenić sposób działania tranzystora i pomaga określić jego punkt pracy.
Tranzystor NPN
Tranzystor NPN to element półprzewodnikowy. Jest jednym z dwóch podstawowych rodzajów tranzystorów bipolarnych, obok tranzystora PNP, szeroko stosowanych w elektronice. Posiada 3 warstwy materiału półprzewodnikowego, tworząc strukturę N-P-N – od tego wywodzi się jego nazwa.
W tranzystorze NPN większościowymi nośnikami ładunku są elektrony, natomiast dziury pełnią funkcję nośników mniejszościowych. To właśnie przepływ obu rodzajów nośników odpowiada za określenie tranzystora jako bipolarnego. Taka struktura decyduje o sposobie przepływu prądu przez tranzystor.
Tranzystory NPN są wykorzystywane w wielu urządzeniach elektronicznych. Przede wszystkim są często stosowane jako wzmacniacze w układach audio. Tranzystory NPN znajdują zastosowanie m.in. w układach wzmacniających, przełączających oraz w różnych układach analogowych i elektronicznych układach scalonych. Tranzystory NPN odgrywają bardzo istotną rolę we współczesnym świecie. Bez ich udziału wiele urządzeń nie mogłoby funkcjonować w znanej nam formie.
Tranzystor bipolarny PNP
Tranzystor PNP jest jednym z dwóch podstawowych typów tranzystorów bipolarnych, obok tranzystora NPN. Odgrywa bardzo ważną rolę w licznych urządzeniach – zarówno w prostych obwodach, jak i zaawansowanych systemach komputerowych. Wyróżnia się unikalną budową. Tranzystor PNP ma strukturę P-N-P. W obszarach typu P większościowymi nośnikami są dziury, natomiast w obszarze typu N większościowymi nośnikami są elektrony. To właśnie ta struktura decyduje o sposobie działania tego tranzystora.
Tranzystor PNP wyróżnia się zdolnością do kontrolowania dużych prądów przy zastosowaniu niewielkich sygnałów. Dzięki temu jest wykorzystywany w układach wzmacniających. Ponadto potrafi szybko i precyzyjnie przełączać prądy, dlatego nie może go zabraknąć w nowoczesnych technologiach.
Tranzystor bipolarny – oznaczenia
Oznaczenia pozwalają w łatwy sposób rozpoznać typ tranzystora. Istotnym elementem symbolu graficznego jest strzałka umieszczona przy emiterze. Jej kierunek umożliwia sprawdzenie, czy dany element jest tranzystorem typu NPN, czy PNP. W tranzystorze NPN strzałka jest skierowana na zewnątrz, natomiast w PNP do wewnątrz.
W razie wątpliwości i problemu ze znalezieniem odpowiedniego tranzystora bipolarnego zapraszamy serdecznie do kontaktu. Dzięki bogatemu doświadczeniu jesteśmy w stanie doradzić, zapewnić fachową obsługę klienta i zagwarantować wsparcie na każdym etapie procesu zakupowego. Zależy nam na tym, aby każdy klient mógł sprawnie dobrać właściwe rozwiązanie.
Tranzystor bipolarny – zadania
Tranzystory bipolarne pełnią w układach elektronicznych różne funkcje. Najczęściej stosuje się je do wzmacniania sygnałów i przełączania obwodów. Wykorzystywane są do budowy wzmacniaczy, w tym w urządzeniach telekomunikacyjnych i sprzęcie medycznym. Warto wiedzieć, że wzmacniacze bazujące na tranzystorach bipolarnych wyróżniają się wyjątkową precyzją i wydajnością.
Tranzystory bipolarne są używane też jako elementy przełączające. Funkcjonując w trybie nasycenia i odcięcia, są w stanie przełączać stany ON i OFF, a to jest konieczne m.in. w komputerach i wielu innych sprzętach cyfrowych.
Tranzystor bipolarny – zastosowanie
Tranzystory bipolarne są wykorzystywane w licznych rozwiązaniach elektronicznych. Używane są m.in. w:
- obwodach oscylatorów – generują one sygnały o określonej częstotliwości. Oscylatory są potrzebne w komunikacji bezprzewodowej, częściach systemów pomiarowych i sprzętach radarowych.
- Stabilizatorach napięcia – w nich tranzystory odgrywają rolę elementów regulujących. Stabilizatory wykorzystujące tranzystory utrzymują napięcie na wyjściu na możliwie stałym poziomie, nawet jeśli zmienia się napięcie zasilające czy wartość obciążenia. Dzięki temu znajdują zastosowanie w zasilaczach komputerowych i układach zasilania awaryjnego.
- Układach analogowych – w tych układach tranzystory bipolarne przetwarzają sygnały.
- Układach cyfrowych – w nich tranzystory bipolarne służą do realizacji operacji logicznych i pamięci.
Warto również zaznaczyć, że tranzystory bipolarne mogą też pracować w układach modulatorów, filtrów aktywnych i demodulatorów, czyli układach stosowanych m.in. w technice radiowej. Wykorzystywane są również w układach przerzutników bistabilnych, monostabilnych i astabilnych. Pierwsze z nich stanowią układy zdolne do wychwytywania i zapamiętywania zmian na wejściach. Drugie, czyli monostabilne, wytwarzają impulsy o zadanej długości po pojedynczym pobudzeniu wejścia. Natomiast astabilne to generatory samoczynnie przełączające wyjścia między kolejnymi stanami z określoną częstotliwością.
Tranzystor bipolarny - wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000