Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3257)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS4350X SOT-89
1.6W 50V 3A NPN SOT-89 Single Bipolar Transistors ROHS PBSS4350X-GK;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 700 | 1,6W | 50V | 3A | 100MHz | SOT89 | GOODWORK | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MJD127 DPAK YFW
Tranzystor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
YFW50P03AD TO-252 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: AOD417; YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCV49 SOT89 NEXPERIA
NPN Darlington transistor BCV49,115; BCV49,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10000 | 1,3W | 60V | 500mA | 220MHz | SOT89 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-40 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 600; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC817-40 SOT23 Kingtronics
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
31000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BD139-16 TO126 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD139 RoHS 100-250 Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
870 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857CW SOT323 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 150mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857CW,115; BC857CWT1G; BC857CW,135; BC857CW-7-F; BC857CWH6327XTSA1; BC857CWH6433XTM; BC857CW-G; BC857CW.115; BC857CW SOT323;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 150mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT323 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC807-16 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-16,215; BC807-16,235; BC807-16LT1G; BC807-16LT3G; BC807-16E6327; BC807-16 RFG; BC807-16-7-F; BC807-16-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | Yangjie | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2030-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
|
FMMT593 SOT23 HT SEMI
PNP 1A 100V 500mW 50MHz podobny do: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: FMMT593 RoHS 593 Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MOT858C SOT23-3 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; PODOBNY DO: BC856B; MOT858C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 30 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
RCK3018W SOT323 REALCHIP
N-Channel MOSFET 0.1A 30V 8mΩ Podobny do: BSS138PW,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCK3018W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES
Tranzystor PNP; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25W,115; BC807-25W,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 400 | 200mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT323 | DIODES | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC860BW SOT23 NEXPERIA
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860BW,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 475 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX53-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MOT846A SOT23 MOT
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: BC846A;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC846A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
FMMT593 SOT-23(T/R) FUXIN
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 100V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 250mW | 100V | 1A | 50MHz | SOT23 | FUXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT-23(T/R) FUXIN
Tranzystor NPN; 300; 300mW, 40V; 600mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 250MHz | SOT23 | FUXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) FUXIN
Tranzystor NPN; 600; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 600 | 625mW | 30V | 100mA | 150MHz | TO92 | FUXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 250; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC817-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC856B SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858A SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858ALT1G; BC858AE6327HTSA1; BC858A RFG; BC858A-7-F; BC858A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 600 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857A SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857A,215; BC857ALT1G; BC857AE6327HTSA1; BC857A RFG; BC857A-7-F; BC857A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
860 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
32970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 45V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX5416E6327HTSA1; BCX5416H6327XTSA1; BCX5416TA;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 500mW | 45V | 1A | 130MHz | SOT89 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
YFW6G03S SOP-8 YFW
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2695 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2695 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000