Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2639)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4120T
Tranzystor NPN; 470; 480mW; 20V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PBSS4120T,215;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1070 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 470 | 480mW | 20V | 1A | 100MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
420 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 750 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 470 | 480mW | 20V | 1A | 100MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4120T,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 470 | 480mW | 20V | 1A | 100MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4120T,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
78000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 470 | 480mW | 20V | 1A | 100MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4120T,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 470 | 480mW | 20V | 1A | 100MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
PBSS4330X,115
Tranzystor NPN; 700; 1,6W; 30V; 3A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PBSS4330X,115; PBSS4330X,135; PBSS4330X;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
430 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 700 | 1,6W | 30V | 3A | 100MHz | SOT89 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4330X,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 700 | 1,6W | 30V | 3A | 100MHz | SOT89 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4330X,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
13000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 700 | 1,6W | 30V | 3A | 100MHz | SOT89 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC857B
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 15000
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
BC548B LGE
Tranzystor NPN; 450; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 625mW | 30V | 100mA | 150MHz | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC33740BU
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 BULK
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740BU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
940 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740BU Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740BU Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
30546 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740BU Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
34300 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC33740TA
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740TA RoHS Obudowa dokładna: TO92amm |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC33740TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
8924 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC807-16
PNP 45V 500mA 200mW hFE=100-250
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
KEXIN Symbol Producenta: BC807-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
BD679
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: BD679 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 750 | 40W | 80V | 4A | TO126 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
2N3055 TO3 CDIL
NPN 60V 15A 115W 2N3055-CDI; T2N3055; 2N3055-NTE; 2N3055G; 2N3055HV-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
38 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 80 | 115W | 100V | 15A | 2,5MHz | TO 3 | CDIL | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-03-07
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300mW | 180V | 600mA | 100MHz | SOT23 | AnBon | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
PZTA42
Tranzystor NPN; 40; 1,2W; 300V; 100mA; 50MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PZTA42,115;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 1,2W | 300V | 100mA | 50MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA42,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 1,2W | 300V | 100mA | 50MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA42,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 1,2W | 300V | 100mA | 50MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA42,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 40 | 1,2W | 300V | 100mA | 50MHz | SOT223 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC550 TO92 CDIL
Tranzystor NPN; 800; 500mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC550-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 800 | 500mW | 45V | 100mA | 100MHz | TO92 | CDIL | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BCX56-16 SOT89 LGE
NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89 BCX56-16-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 1W | 80V | 50mA | SOT89 | LGE | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
BC847B SOT23 LGE
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC847B-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 250mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD241C
Transistor NPN; Bipolar; 100V; 10V; 3A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40W | 100V | 3A | TO220 | ARK | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40W | 100V | 3A | TO220 | ARK | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
S8050 SOT23-3 BORN
Tranzystor NPN; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300mW | 25V | 500mA | 150MHz | SOT23 | BORN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
SS8050 SOT23-3 BORN
Tranzystor NPN; 300mW; 25V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1355 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300mW | 25V | 1,5A | 100MHz | SOT23 | BORN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BD243CG TO220 ON
Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 65W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2457 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 65W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1250 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 65W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1833 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 65W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BCX54-16 HOTTECH
Trans NPN; 250; 1W; 45V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BCX54-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1W | 45V | 1A | 100MHz | SOT89 | HOTTECH | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC847BS
Transistor PNP/NPN; Bipolar; 45V; 200MHz; 100mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; BC847BS-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN/PNP | 300mW | 45V | 100mA | 200MHz | SOT363 | YY | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN/PNP | 300mW | 45V | 100mA | 200MHz | SOT363 | YY | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-01-20
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||
MMBT5401
Tranzystor PNP; Bipolar; 160V; 6V; 300MHz; 600mA; 300mW; 300; -55°C~150°C; MMBT5401-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 300mW | 160V | 600mA | 300MHz | SOT23 | YY | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
S9014
Tranzystor NPN; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 200mW | 45V | 100mA | 150MHz | SOT23 | AnBon | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BC807UE
Tranzystor PNP; 400; 330mW; 45V; 500mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807UE6327; BC807UE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 400 | 330mW | 45V | 500mA | 200MHz | SC74-6 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC807UE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SC74-6 |
Magazyn zewnętrzny:
1134000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 400 | 330mW | 45V | 500mA | 200MHz | SC74-6 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC817DS
Tranzystor NPN; 400; 600mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817DS,115;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 600mW | 45V | 500mA | 100MHz | TSOP06 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC817DS,115 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnętrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 400 | 600mW | 45V | 500mA | 100MHz | TSOP06 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC817DS,115 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 400 | 600mW | 45V | 500mA | 100MHz | TSOP06 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-01-03
Ilość szt.: 600
|
||||||||||||||||||||||
BC856BDWT1G
Tranzystor 2xPNP; 475; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BDW1T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xPNP | 475 | 380mW | 65V | 100mA | 100MHz | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC856BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnętrzny:
1485000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xPNP | 475 | 380mW | 65V | 100mA | 100MHz | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC856BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnętrzny:
220032 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xPNP | 475 | 380mW | 65V | 100mA | 100MHz | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC856BDW1T3G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xPNP | 475 | 380mW | 65V | 100mA | 100MHz | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD139-10
Tranzystor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/700 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 12,5W | 80V | 1,5A | SOT32 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD139-10 Obudowa dokładna: SOT32 |
Magazyn zewnętrzny:
37550 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 12,5W | 80V | 1,5A | SOT32 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD139-10 Obudowa dokładna: SOT32 |
Magazyn zewnętrzny:
14800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 12,5W | 80V | 1,5A | SOT32 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD139-10 Obudowa dokładna: SOT32 |
Magazyn zewnętrzny:
21636 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 12,5W | 80V | 1,5A | SOT32 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
2N5400 LGE
Tranzystor PNP; bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5400-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 180 | 625mW | 120V | 600mA | 100MHz | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD112
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MJD112 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
MJD31C YZPST
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
105 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 15W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 (DPACK) | YZPST | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MJD31C JSMICRO
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 15W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 (DPACK) | JSMICRO | -65°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!