Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2639)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP56-16TX
Tranzystor NPN; Bipolar; 500mV; 1,35W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BCP56-16T; BCP56-16TF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,35W | 80V | 1A | 110MHz | SOT223 | NXP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP56-16TX Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
273000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 1,35W | 80V | 1A | 110MHz | SOT223 | NXP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP56-16TF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 1,35W | 80V | 1A | 110MHz | SOT223 | NXP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP56-16TX Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
47000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 1,35W | 80V | 1A | 110MHz | SOT223 | NXP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
2SA1943
Tranzystor PNP; Bipolar; 5V; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 160 | 150W | 230V | 15A | 30MHz | TO 3P | SPTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
2SA1943
Tranzystor PNP; Bipolar; 7V; 180W; 230V; 17A; 28MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 140 | 180W | 230V | 17A | 28MHz | TO 3P | MINOS | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC847DW
Tranzystor PNP; Bipolar; 6V; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC847DW 1Ft;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT363 | CBI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BCX54-16
Tranzystor NPN; Bipolar; 45V; 5V; 130MHz; 1,5A; 1,3W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 160 | 1,3W | 45V | 1,5A | 130MHz | SOT89 | SLKOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
TIP42C
Tranzystor PNP; Bipolarny; 100V; 5V; 3MHz; 10A; 65W; -55°C~150°C; Odpowiednik: TIP42CL-C-TA3-T; TIP42C-LGE; TIP42-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
67 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 75 | 65W | 100V | 10A | 3MHz | TO220 | JSMSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||||||||||
MMBTA44
0.35W null NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT MMBTA44-YAN; MMBTA44_ R2_00001; MMBTA44 _R1_00001; MMBTA44-R1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: MMBTA44-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: MMBTA44 RoHS 3D. Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
BCX42
Tranzystor PNP; 63; 330mW; -125V; -800mA; 150MHz; -55°C~150°C; INFINEON LTB:31-DEC-2023; Odpowiednik: BCX42E6327HTSA1; BCX42E6433HTMA1; BCX42E6327; BCX42E6327HTSA1; SP000010900;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 63 | 330mW | -125V | -800mA | 150MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC850C
Tranzystor NPN; Bipolarny; 800; 30V; 5V; 100MHz; 200mA; 250mW; -65°C~150°C; Podobny do: BC850C _R1 _00001;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BC850C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 250mW | 30V | 200mA | 100MHz | SOT23 | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BC550B
Tranzystor NPN; Bipolarny; 800; 45V; 6V; 150MHz; 100mA; 625mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 625mW | 45V | 100mA | 150MHz | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMBT2907A-TP
Tranzystor PNP; Bipolar; 60V; 6V; 200MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT2907A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23 | MCC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT2907A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23 | MCC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
FZT955
Trans GP BJT PNP 140V 4A 24000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FZT955TA;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
KEXIN Symbol Producenta: FZT955 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
BCV26
Tranzystor PNP; Bipolar; 10V; 250mW; 40V; 500mA; 10000; 220MHz; -55°C~150°C; BCV26,215; BCV26.215; BCV26,235; BCV26.235;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 10000 | 250mW | 40V | 500mA | 220MHz | SOT23 | NXP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCV26,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 10000 | 250mW | 40V | 500mA | 220MHz | SOT23 | NXP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCV26,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 10000 | 250mW | 40V | 500mA | 220MHz | SOT23 | NXP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
MMDT2227
Tranzystor: NPN / PNP; bipolarny; 40/60V; 0,6A; 200mW; SOT363 MMDT2227-YAN
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
KEXIN Symbol Producenta: MMDT2227 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2900 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
BC849B
Tranzystor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC849B-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | KEXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
TIP3055
Tranzystor NPN; Bipolar; 70; 60V; 90W; 15A; -65°C~150°C; Odpowiednik: TIP3055G;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: TIP3055 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
270 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 70 | 90W | 60V | 15A | TO247 | LGE | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
2SA1943
Tranzystor PNP; Bipolar; 160; 230V; 30MHz; 15A; 150W; -55°C~150°C; TCSA1943N;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: TCSA1943N RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
270 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/330 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 160 | 150W | 230V | 15A | 30MHz | TO247 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: TCSA1943N RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
24 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 160 | 150W | 230V | 15A | 30MHz | TO247 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 50
|
||||||||||||||||||||||
2SC5200
Tranzystor NPN; Bipolar; 230V; 5V; 160; 30MHz; 15A; 150W; -55°C~150°C; TCSC5200N;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: TCSC5200N RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
362 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/390 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 160 | 150W | 230V | 15A | 30MHz | TO247 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 50
|
||||||||||||||||||||||
2N6491G
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
850 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
BCV46E6327HTSA1
Tranzystor PNP; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: BCV46E6327; BCV46E6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
19 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 19 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 10000 | 360mW | 60V | 500mA | 200MHz | SOT23 | INFINEON | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCV46E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 10000 | 360mW | 60V | 500mA | 200MHz | SOT23 | INFINEON | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCV46E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
24998 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 10000 | 360mW | 60V | 500mA | 200MHz | SOT23 | INFINEON | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCV46E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
11200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 10000 | 360mW | 60V | 500mA | 200MHz | SOT23 | INFINEON | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BCP69-16
Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP69-16,115; BCP69-16,135; (BCP69,115-RP100 Automotive);
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 135mW | 20V | 100mA | 40MHz | SOT223-4 | KEXIN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BCV27
Tranzystor NPN - Darlington; Bipolar; 20000; 30V; 5V; 220MHz; 1.2A; 350mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 20000 | 350mW | 30V | 1,2A | 220MHz | SOT23 | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BCV27 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20000 | 350mW | 30V | 1,2A | 220MHz | SOT23 | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BCV27 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20000 | 350mW | 30V | 1,2A | 220MHz | SOT23 | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BCV27 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20000 | 350mW | 30V | 1,2A | 220MHz | SOT23 | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
2SC4793
Tranzystor PNP/NPN; Bipolar; 320; 230V; 5V; 100MHz; 1A; 20W; -55°C~125°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN/PNP | 320 | 20W | 230V | 1A | 100MHz | TO220iso | OSEN | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||
CSC4793
Tranzystor PNP; Bipolar; 320; 230V; 5V; 70MHz; 1A; 20W; -55°C~150°C; Podobny do: 2SC4793;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 320 | 20W | 230V | 1A | 70MHz | TO220F | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BCP55-16
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BCP55-16-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BCP55-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
BSP62H6327HTSA1
Trans Darlington PNP 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62E6327HTSA1; BSP62H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
29000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
4900 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
BCP56 JGSEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,33W; 80V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,33W | 80V | 1A | 130MHz | SOT223 | JGSEMI | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
BCP56 HXY MOSFET
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | HXY MOSFET | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC817K-25-TP
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 500mW 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BC817K-25-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
BC547B JSMICRO
Tranzystor NPN; 450; 625mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC547BBU; BC547B-DIO; BC547BBK; BC547B B1G; BC547B-LGE; BC547B-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 625mW | 45V | 100mA | 300MHz | TO92 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!