LTV817S-A smd

Symbol Micros: OOPC817altvs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 160% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A
Parametry
CTR: 160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 0,5kV
Napięcie wyjściowe: 35V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV-817S-TA1-A RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
2810 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,6330 0,4330 0,3830 0,3740
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
CTR: 160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 0,5kV
Napięcie wyjściowe: 35V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta