PC817SA GALAXY

Symbol Micros: OOPC817altvs GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 80-160% Vce 80V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-817S-A, EL817S(A), EL817S1(A)(TU)-F, FOD817AS, FOD817ASD
Parametry
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: GALAXY Symbol producenta: PC817SA RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5570 0,3320 0,2750 0,2470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta