FOD817AS

Symbol Micros: OOPC817as FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 80-160% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817ASD
Parametry
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817AS RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8300 1,7800 1,4700 1,3100 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817AS Obudowa dokładna: PDIP04smd  
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817ASD Obudowa dokładna: PDIP04smd  
Magazyn zewnętrzny:
270000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817ASD Obudowa dokładna: PDIP04smd  
Magazyn zewnętrzny:
13000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V