BC846B GALAXY

Symbol Micros: TBC846b GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: GALAXY Symbol producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2950 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2700 0,1040 0,0507 0,0403 0,0385
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN