BC846B HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC846b HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2520 0,0941 0,0504 0,0376 0,0347
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN