BC846BLT1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TBC846b ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846BLT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
36060 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4170 0,1640 0,0959 0,0702 0,0641
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
590 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4170 0,1640 0,0959 0,0702 0,0641
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
890
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN