BC847B,215 Nexperia, NXP; tranzystor bipolarny

Symbol Micros: TBC847b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B; BC847B,215; BC847B,235; BC847B-TP; BC847B smd;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC847B,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
156000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2640 0,1020 0,0496 0,0395 0,0377
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC847B,235 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
250000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0377
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC847B,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
785251 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0377
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC847B,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
1398000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0377
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Opis szczegółowy

BC847B to uniwersalny tranzystor bipolarny NPN charakteryzujący się maksymalnym napięciem pomiędzy kolektorem a emiterem (Vce) wynoszącym 45V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) na poziomie 100mA. Jego wzmocnienie prądowe (hFE) mieści się w zakresie od 200 do 450, co oznacza, że potrafi znacząco zwiększyć sygnał elektryczny, co jest przydatne we wzmacniaczach lub układach przełączających. Dzięki maksymalnej częstotliwości granicznej wynoszącej 100MHz, tranzystor BC847B sprawdzi się w układach pracujących z wyższymi częstotliwościami, takimi jak nadajniki czy odbiorniki radiowe.

Tranzystor BC847B oferuje także niewielkie straty mocy dzięki niskiemu napięciu nasycenia (Vce(sat)), a obudowa SOT23 zapewnia montaż powierzchniowy (SMD), co ułatwia integrację w projektach o dużym zagęszczeniu komponentów.

Dzięki solidnym parametrom, takim jak wysoka niezawodność i wszechstronność, BC847B znajduje zastosowanie w układach wzmacniaczy, przełączników, a także w aplikacjach cyfrowych i analogowych, gdzie wymagane są kompaktowe i wydajne komponenty elektroniczne.

Producent: NXP Semiconductors
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 45V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 250mW
Obudowa: SOT23
Wzmocnienie tranzystora: 290
Montaż: SMD