BC847B GALAXY

Symbol Micros: TBC847b GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847B,215; BC847B,235; BC847BLT1G; BC847BLT3G; BC847BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC847B RFG; BC847B-7-F; BC847B-13-F; BC847B-TP;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: GALAXY Symbol producenta: BC847 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2870 0,1110 0,0540 0,0429 0,0410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN