BC847BE6327

Symbol Micros: TBC847b inf
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3 t/r
Tranzystor NPN; 450; 330mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BE6327HTSA1; BC847BE6433; BC847BMTF; BC847BE6433HTMA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23-3 t/r
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BC847BE6433HTMA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r  
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt.
ilość szt. 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1033
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BC847BE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r  
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1146
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23-3 t/r
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN