BC847BE6327

Symbol Micros: TBC847b inf
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3 t/r
Tranzystor NPN; 450; 330mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BE6327HTSA1; BC847BE6433; BC847BMTF; BC847BE6433HTMA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: Infineon Technologies
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT23-3 t/r
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 330mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: Infineon Technologies
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT23-3 t/r
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN