BC856B,215
Symbol Micros:
TBC856b
Obudowa:
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BLT1G; BC856B,215; BC856B RFG; BC856BLT3G; BC856B-7-F; BC856B,235; BC856B-13-F;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC856B,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11424 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3440 | 0,1360 | 0,0793 | 0,0580 | 0,0530 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC856B,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
750000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0530 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC856B
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
146700 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0530 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC856B,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
196639 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0530 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |