BC856B UMW

Symbol Micros: TBC856b UMW
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215, BC856B,235, BC856BLT1G, BC856BLT3G, BC856B RFG, BC856B-7-F, BC856B-13-F, BC856B-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: UMW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: UMW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP