BC856B HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC856b HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BC856B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1860 0,0694 0,0372 0,0278 0,0256
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP